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CST基础十三-激励源概述

来源: | 作者:thinks | 发布时间: 2023-11-16 | 1213 次浏览 | 分享到:

CST微波工作室提供几种不同的激励源,取决于具体的应用和结构类型。


端口激励-通常用于计算S参数  

S参数矩阵描述了不同端口之间电磁场能量的传输。这些端口的名称和位置需要在CST微波工作室中定义。

有两种不同类型的端口:波导端口和离散端口。

         

Discrete Ports离散端口:可作为s参数,电压或电流的端口。模拟主计算域内的集总元件源和类似TEM模。

输入:TEM模式,线阻抗(电压或电流);

输出:电压或电流


         CST基础十三-激励源概述

         

Waveguide Ports波导端口:模拟无限长波导,例如矩形波导、同轴电缆或微带线。有更好的匹配模式以及更高的S参数精度。

输入:特征模解的面

输出:E和h云图,线和波阻抗,传播常数(β,α)

CST基础十三-激励源概述 


场源激励

Plane Waves平面波:激发线性、圆形或椭圆平面波

Farfield Sources远场源:导入用CST微波工作室计算得到的远场监视器文件

Nearfield Sources近场源:导入由CST微波工作室、电缆工作室、PCB工作室、Sigrity计算得到的近场源数据。

 

CST基础十三-激励源概述 

 

(内容、图片来源:CST仿真专家之路公众号,侵删)

 

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