先上公式：
其中P是入射的光功率，η是量子效率（quantum yield），也叫量子产率、量子产额，其实就是一个光子能产生多少电子（假设电子和空穴一样多，都是载子），h是普朗克常量6.62607004E-34 J/s，v是入射光频，hv乘积就是光子能量，被P一除就是每秒光子数量，再乘量子效益，就是每秒载子数。W,L和D是半导体的宽，高和长。所以G就是单位体积的载子产生速率（carrier generation rate）。
怎么在软件里面算这个值呢？公式里很多系数都需要手动添加定义，真正用到的仿出来的结果其实是P，就是我们给各光频激励，然后得到半导体的吸收功率。那是不是需要计算半导体结构的所有吸收功率和体积呢？其实不用那么复杂，利用power loss density/SAR监视器就可以了，P/WLD是功率密度，都算好了。所以方法就像计算人体的比吸收率一样，只是人体不是太阳能板，我们晒太阳之后不产电~~~
所以唯一需要设置的是材料密度，把公式里面剩下的量加进去，量子效率、频率、普朗克这三个，当然这个密度值已经不是材料实际密度了，是为了等效计算载子产生速率的修改值。而且和频率有关了，不同频率量子效率不同，我们就需要定义不同的密度值。
模型展示我们用自带案例，之前用这个案例写过光频传输线仿真:
仿真实例016：光频的传输线——反射率，透射率，吸收率仿真
中间材料是光导体硅材料，这次我们把密度改掉，这里假设我们研究的频率1.55um量子收益η为80%，然后THz量级e12也加上去，这里没加频率，等下我们在后处理里面加。
而四周的二氧化硅我们用小很多的量子效率，因为基本不导电：
然后监视器加个1.55um的功率损耗：
然后加个SAR后处理，选计算点SAR，定义激励功率，比如1mW，就是光信号的功率。
最后用后处理再加上频率和SAR，频率单位也是THz，单位可改成1/m^3/s，就是单位体积单位时间内产生的电子数。
然后开始仿真就行了，这些后处理都是可以提前定义，然后仿真直接拿结果的，结果也是可以数据导出。
最后总结：
没啥好总结的...就是利用公式转换，半导体也能和SAR扯上关系。
（内容、图片来源：CST仿真专家之路公众号，侵删）
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